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3D SiC技术在观众中闪耀,基本半导体参与PCIM As

时间:2018-09-20 阅读: 110次

  6月26日至28日,基础半导体成功参加了PCIM Asia2018上海国际电力元件、可再生能源管理展览会。基本的半导体展位以蓝色和白色为主,具有技术感和未来感。独特的3D SiCTM技术和自主研发的碳化硅功率器件吸引了众多国内外参展商的关注。在全球3D SiCTM技术展期间,基础半导体技术团队详细介绍了该公司最初的3D SiCTM外延技术,该技术可充分利用碳化硅的材料潜力,通过外延生长结构取代离子注入,并制造碳化硅器件在高温下。它在应用中具有更高的稳定性。出色的外延质量和设计灵活性也有利于高电流密度的高压器件。碳化硅肖特基二极管基本的半导体碳化硅肖特基二极管采用工业标准封装,具有卓越的性能和高效率。其中,650V、1200V和1700V肖特基二极管具有独特的嵌入式结构,反向漏电流比传统结构低三个数量级,更有利于高温(250°C)环境,强大的浪涌电流电阻,正向电压降低,性能已达到国际先进水平。碳化硅MOSFET基本半导体碳化硅MOSFET具有低RDS(ON)和优异的开关性能,可以提高器件工作效率并减小芯片面积。同时,在较高开关频率下可以实现较高的热效率,从而实现高效率。碳化硅MOSFET广泛应用于电机驱动器、开关电源、光伏逆变器和UPS领域。基本半导体生产的低掺杂碳化硅外延片可高达250μm,具有极低的缺陷密度和高均匀性,可生产3.3kV以上的高压器件和更多的超高压器件超过10,000伏特。

  。轨道交通、智能电网、医疗设备和国防军事等领域。此外,由基础半导体开发的全碳化硅模块和混合密封碳化硅模块也在展会上亮相,参观者挥之不去。基础半导体总经理张振中博士在同时举行的电力电子应用技术论坛上发表了主题演讲,介绍了该公司的高性能3D SiC JBS二极管,引起了众多人的关注。行业。演讲结束后,张博士进行了深入的交流。探索。 PCIM Asia 2018已经走到了尽头,基础半导体将继续在推动中国第三代半导体发展的过程中扬帆起航,共同创造辉煌。

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